Все дипломы
Электротехника
Добавить в закладки

<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>
Биография методиста

Егоркова Ж.В.

Егоркова Жанна Валерьевна, кандидат технических наук. Родилась 12 апреля 1965 года в городе Уфе (Башкирская ССР, ныне республика Башкирия). С отличием окончила среднюю общео...
далее



Мнения о методичке
А у нас в институте именно этими методичками и пол...
Автор: Даша
Помогла для курсового...
Автор: Egoist
Какое счастье, что нашел ваш сайт. У меня застопор...
Автор: Гном
Угу, я тоже поздновато нашел ваши лекции. Но, в об...
Автор: Бегемот


Рекламный блок

Профи-СП офисная атс москва; |
Социология




ИССЛЕДОВАНИЕ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ

Изучение работы бестрансформаторного усилителя мощности в режимах А и В (АВ). Определение основных энергетических показателей усилителя в указанных режимах.

2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Оконечный каскад усилителя, как правило, является усилителем мощности (УМ), т. е. каскадом, где транзистор работает при значительных амплитудах напряжений и тока. С развитием интегральной схемотехники все большее распространения получают бестрансформаторные УМ, позволяющие осуществлять непосредственную связь с нагрузкой, что дает возможность обойтись без громоздких трансформаторов, получить лучшие частотные и амплитудные характеристики, чем в усилителях с трансформаторной связью. Бестрансформаторные УМ собирают в основном по двухтактным схемам на транзисторах, работающих в режимах В или АВ, реже А, включенных по схеме с 0Э и ОК.

В настоящее время широко распространены бестрансформаторные УМ, построенные на паре транзисторов разного типа электропроводности (р-n-р и n-p-n), на так называемой комплементарной паре транзисторов, имеющих симметричные характеристики. Такие каскады носят название каскадов с дополнительной симметрией.

Работа усилителей мощности в классе А.

Схема усилителя мощности в классе А приведена на рис. 1,а. Для режима класса А характерно задание величины тока покоя транзисторов I, превышающей максимально возможную амплитуду переменного тока (рис. 1,б). Необходимое смещение при этом обеспечивается с помощью резисторного или диодно-резисторного делителя в цепи базы (рис. 1,а). Если входной сигнал синусоидален, то в первом приближении будут синусоидальными изменения токов транзисторов VТ1 и VТ2 (рис. 1,в). Разнополярный характер транзисторов приводит к тому, что одному и тому же сигналу генератора будут соответствовать увеличение тока коллектора одного транзистора и уменьшение другого (рис. 1,в). Можно записать:

IK1=IKП1+IKmsinwt;


<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>

Искать на сайте


Произвольное с сайта

...«АНАЛИЗ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ СХЕМАХ ВКЛЮЧЕНИЯ Т»...
подробнее

Афоризм о науке

Главное в жизни человека моего склада заключается в том, что он думает и как думает, а не в том, что он делает или испытывает.



Наука России - Наше будущее!